應(yīng)用領(lǐng)域：

該系統(tǒng)可用于開發(fā)納米級(jí)的單層及多層功能膜和復(fù)合膜 , 可鍍金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其它化學(xué) 反應(yīng)膜等。

螺紋孔基片盤：

基本配置：

◆真空腔室：350×400mm 不銹鋼 D 形腔體。前門鉸鏈方便真空室清理；腔室底板，頂部和側(cè)面裝有腔室內(nèi)硬件接口；前 門上配直徑 80 玻璃觀察窗（含手動(dòng)防污染擋板、可拆洗防污玻璃）；腔體可選擇水冷。 

◆抽氣系統(tǒng)： 采用復(fù)合分子泵 + 直聯(lián)旋片泵作為真空抽氣系統(tǒng)； 主抽泵：分子泵抽速≥ 600L/S，氮?dú)鈮嚎s比≥ 109 ； 前級(jí)泵：VRD-24 機(jī)械泵及電磁閥，抽速：6L/S 主抽閥： CCD-150 超高真空電動(dòng)插板閥 

 * 真空系統(tǒng)可以升級(jí)為進(jìn)口分子泵和渦旋干泵。 

◆真空測(cè)量：數(shù)顯復(fù)合真空計(jì)： “兩低一高”全量程數(shù)顯復(fù)合真空計(jì)； 

* 真空測(cè)量可以升級(jí)為進(jìn)口全量程冷陰極真空計(jì) 

◆極限真空：<5×10-5Pa ◆恢復(fù)真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆磁控濺射靶：（最多安裝三個(gè)磁控濺射靶）磁控濺射靶磁路模塊化設(shè)計(jì)；磁控靶可手動(dòng)調(diào)節(jié)濺射角度，靶與基片的距離可調(diào)； 其中一個(gè)靶位可濺射磁性材料（如鎳或鐵等）靶材大小為直徑 50.8mm，建議厚度≤ 5mm，靶材利用率超過 40%； 

◆鍍膜方式：由下往上濺鍍或從上往下濺射，可依需求采用 Confocal（共焦）或 Face-to-Face（面對(duì)面）； 

◆濺射電源： 射頻電源：功率 300W，輸出頻率：13.56MHz，全自動(dòng)匹配 數(shù)量：1 臺(tái) 直流電源：最大輸出功率：500W；輸出電壓：0 ～ -800V 可調(diào) 數(shù)量：1 臺(tái) 

◆工藝氣路（可選）：三路質(zhì)量流量計(jì)控制的氣路（Ar、O2、N2 ）等 

◆樣品臺(tái)：可容納樣品最大尺寸：4 英寸樣品托一個(gè) , 配擋板，轉(zhuǎn)速 0-30rpm 連續(xù)可調(diào) ; 樣品可加熱控溫， 溫度范圍：室溫 -600℃，控溫精度 ±0.5℃； ◆系統(tǒng)控制：15 英寸觸摸屏 +PLC 控制（可選手動(dòng)按鈕）

選擇配置：

◆樣品臺(tái)可水冷，采用直接式水冷形式，水冷不控溫 

◆可選進(jìn)口濺射電源 

◆磁控靶可選用歐美知名品牌 

◆全量程真空計(jì) (Inficon) 

◆電容式隔膜真空計(jì) ( 測(cè)量濺射工作壓力 ) 

◆樣品托 : 不銹鋼、鋁或銅，基片盤上有螺紋孔。

系統(tǒng)要求標(biāo)準(zhǔn)配置：

◆工藝氣體 :25psi，純度 99.99% 以上 

◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮?dú)?nbsp;

◆電 源 : 單相 220V, 50Hz, 32A 

◆冷 凍 水 :18-25℃ , 3L/min，壓力 <0.4MPa